时间：2025/5/7 13:27:48
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BSC047N08NS3 G 是一款由英飞凌（Infineon）生产的N沟道增强型MOSFET。这款MOSFET采用了Trench技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于高频开关应用以及功率转换电路中。其封装形式为SOT223，能够满足工业、汽车及消费类电子产品的多种需求。
最大漏源电压：80V
连续漏极电流：4.7A
导通电阻：150mΩ
栅极电荷：19nC
总电容：680pF
工作温度范围：-55℃至175℃
BSC047N08NS3 G 具有较低的导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高效率。同时，该器件具备较高的雪崩击穿能力，增强了其在异常情况下的耐用性。
BSC047N08NS3 G 的快速开关性能使其非常适合于开关电源、DC-DC转换器等高频应用。此外，其小型化封装和出色的热稳定性也使其成为紧凑型设计的理想选择。
BSC047N08NS3 G 主要应用于各种需要高效功率转换的场景，包括但不限于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动电路
4. 电池保护系统
5. 汽车电子控制单元（ECU）
6. 工业自动化设备中的功率管理模块
BSC048N08NS3 G, BSC047N08NS5 G
